2022年11月15日，在第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM-2022)上，北京天科合达半导体股份有限公司举办了“8英寸导电型碳化硅衬底”新产品发布会，介绍了“8英寸导电型碳化硅衬底”新产品各项关键技术参数指标，并公布将于2023年实现8英寸导电型碳化硅衬底小批量量产。

自2018年开始，由新疆天科合达蓝光半导体有限公司主持，中国科学院物理研究所、北京天科合达半导体股份有限公司参与的兵团重大科技计划项目“宽禁带半导体6-8英寸晶片制备及产业化开发”，面向电力电子设备、电动汽车、智能电网、工业规模的驱动电机、光伏并网发电、高端装备等领域对SiC电力电子器件的需求，突破6英寸SiC外延材料制备的关键技术，研制出国内首根8英寸SiC晶体，形成具有自主知识产权的6-8英寸SiC晶片及其外延片相关制备技术，生产的SiC晶体质量达到国际一流水平。

该项目取得的成果，对夯实我国宽禁带半导体产业的基础，推动下游器件、模块及应用终端的发展和壮大，推动国内第三代半导体产业的迅猛发展具有重要的意义。

              

            8英寸碳化硅晶体(直径209mm).                     8英寸导电型碳化硅衬底

拉曼光谱测试数据表明，8英寸碳化硅衬底100%面积为4H晶型

XRD三点摇摆曲线数据表明，半高宽小于20 arcsec

8英寸碳化硅衬底总位错缺密度 EPD＜4000/cm2，TSD＜100/cm2，BPD＜200/cm2，

位错密度整体处于国际领先水平

8英寸碳化硅衬底新产品展出现场